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手机进入2nm时代!三星全球首款量产芯片发布-芯城品牌采购网

全球移动芯片行业迎来里程碑突破,三星正式推出全球首款量产2nm移动SoC芯片Exynos2600,基于先进的GAA(环绕栅极)工艺打造,将首发搭载于明年推出的GalaxyS26系列旗舰设备,率先拉开2nm手机时代序幕。这款10核ARM架构芯片性能全面跃升,CPU性能较前代提升39%,NPU算力暴涨113%,可高效处理大规模设备端AI任务;GPU采用最新Xclipse设计,图形性能翻倍,光线追踪能力

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三星攻克10nm以下DRAM工艺-芯城品牌采购网

12月16日,三星电子与三星先进技术研究院在IEEE国际电子器件会议上重磅宣布,成功研发出10nm以下DRAM内存制造技术,为AI、数据中心等高算力场景的存储需求突破提供了核心支撑,再度刷新行业技术天花板。此次突破的核心在于创新的单元-外围电路(CoP)架构。不同于传统技术将外围晶体管置于存储单元下方的设计,三星采用存储单元堆叠在了你外围电路之上的全新方案,从根源上解决了传统架构中晶体管在高温堆叠

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三星4nm良率飙升至70%,斩获美国AI公司超1亿美元大单-芯城品牌采购网

三星半导体代工业务迎来关键转机。此前被视作“发展噩梦”的4nm制程工艺逐步企稳,最新消息显示其良率已大幅提升至60%~70%。这一核心突破直接为三星赢得重磅订单——美国AI公司TsavoriteScalableIntelligence已敲定合作,预订价值超1亿美元的全能处理单元(OPU)芯片。此前,良率不佳一直是三星4nm制程的致命短板,不仅制约业务推进,更导致部分订单流失至竞争对手台积电。如今老

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40Gbps狂飙!三星GDDR7显存获“总统级表彰”-芯城品牌采购网

显存技术领域再迎颠覆性突破!12月5日消息,据《韩国时报》报道,三星在首尔举行的2025年度韩国科技节上,重磅展示了速率高达40Gbps的GDDR7显存。这款单颗容量为3GB(24Gb)的新品,凭借顶尖性能斩获“总统级表彰”,成为本次科技节的焦点之一。这款获奖显存的核心竞争力源于底层技术革新。它采用三星12nmDRAM制程工艺(性能相当于10nm级别),更搭载了三电平PAM3信号编码技术——区别于

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存储芯片巨头三星调整架构,HBM业务战略升级-芯城品牌采购网

11月27日,三星电子一则组织架构调整公告搅动全球存储市场——成立仅一年多的HBM(高带宽内存)特别开发团队正式解散,相关人员与研发业务全部并入DRAM开发部门旗下的设计团队。韩媒BusinessKorea于11月28日披露,这一变动在三星高管通报会上正式官宣,标志着其HBM业务从“应急攻关”阶段迈入“常态化发展”新阶段。此次调整的核心脉络清晰可见:原HBM团队负责人孙永秀副社长,将出任DRAM部

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DDR5量产加速?三星近亿订单买测试设备-芯城品牌采购网

11月26日,据韩媒TheElec报道,韩国半导体设备商DI正式宣布,已与三星电子中国苏州工厂达成一份价值191亿韩元(约合9189万元人民币)的设备采购合同,核心为供应DDR5内存专用老化测试设备,这一合作将直接加速三星DDR5内存的产能释放。此次交易的推进效率备受关注。根据合同条款,DI公司预计将在12月内全额收回款项,这一明确的付款节点不仅体现了三星对设备需求的迫切性,也彰显了双方对合作的高

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三星首发2nm手机芯片,性价比超骁龙!-芯城品牌采购网

11月22日,手机芯片圈传来重磅消息:三星明年上半年登场的GalaxyS26系列,将搭载全球首款2nm手机芯片——Exynos2600,更关键的是,这颗旗舰芯片的采购价有望比高通骁龙8E5(第五代骁龙8至尊版)低20-30美元,性价比优势直接拉满。根据曝光信息,GalaxyS26系列仍将推出GalaxyS26、S26+和S26Ultra三款机型,但芯片配置有所区分。其中,GalaxyS26与S26

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三星调整存储战略!加码DRAM暂缓HBM-芯城品牌采购网

存储市场格局生变。11月19日,据行业消息披露,三星电子正对存储业务进行重大战略转向:在DRAM价格两个月暴涨60%的红利期,全力加码通用型DRAM产能以抢占利润高地,同时暂缓高带宽存储器(HBM)的扩张计划。这一“弃长就短”的决策,直指“盈利最大化”的核心目标。当前DRAM市场的火爆行情,成为三星战略倾斜的直接诱因。DDR5、LPDDR5X、GDDR7等主流产品价格持续攀升,以三星32GBDDR

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三星2nm良率突破50%,两大矿企成首批客户-芯城品牌采购网

三星在先进制程赛道终于迎来关键突破。据韩国媒体报道,其2nm制程良率已提升至50%~60%,距离年底量产目标更近一步。更具冲击力的是,中国两大矿机巨头比特微电子(MicroBT)与嘉楠科技(Canaan)已敲定合作,将采用三星2nm制程开发下一代矿机芯片,为三星先进制程代工业务注入强心剂。作为三星晶圆代工的战略级技术,2nm制程延续了3nm上率先应用的环绕栅极(GAA)晶体管架构,但性能与能效的实

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三星电子与SK海力士计划在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调高达30%。投行预测DRAM平均售价将上涨25-26%。这一趋势由谷歌、微软等科技公司对AI数据中心的大量投资驱动。预计到2030年,HBM市场规模将突破1000亿美元,新一代HBM4价格较当前产品高出60%。  行业预计DRAM和NAND价格上涨趋势将延续至2026年,花旗预测DRAM同比上涨37%,NAND同比上涨39%。为应对

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9月24日,三星宣布开发出首款基于第8代V-NAND闪存的车载PCIe4.0SSD:AM9C1。三星的主要合作伙伴正在对256GBAM9C1车载SSD的样品进行测试,预计今年年底开始量产。三星还计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容,其中2TB版本预计明年年初开始量产,以满足对高容量车载SSD日益增长的需求。该款SSD搭配5nm主控芯片,支持端侧AI功能,有着更高的性能

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据凤凰网江苏消息,1月3日,苏州工业园区2023年一季度重大项目集中开工仪式举行。集中开工的49个产业项目包括:SEW-电机智能制造项目、三星半导体存储芯片项目、科阳半导体先进封装项目、联东U谷项目、光格总部大楼项目、天臣国际医疗总部基地项目、赛芯科技总部项目、源卓光电总部项目等。据悉,今年一季度,苏州工业园区开工项目89个,总投资557亿元,年度计划投资201亿元,涵盖新一代信息技术、高端装备制

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迈入下行周期以来,各头部大厂纷纷使出浑身解数,求新求变。近日,英特尔CEO会见了三星高管,进一步讨论半导体合作事宜;Arm则引入了高通和英特尔前高管,以继续推进IPO,并且与供应链伙伴会面,为抓住未来新兴增长点加强交流。英特尔CEO会见三星高管,讨论半导体合作事宜外媒消息显示,近日,英特尔首席执行官PatGelsinger会见了三星电子设备解决方案(DS)部门总裁KyungKye-hyun和设备体

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据外媒消息,近日,三星电子将本土公司东进世美肯半导体开发的用于高科技工艺的极紫外(EUV)光刻胶引入其量产生产线,据悉,这是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试,此前,韩国的光刻胶需求高度依赖于日本及从其它国家进口。公开资料显示,光刻胶是光刻工艺中的关键材料,是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后,溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要应用于积体电路和分立器件的细微图形加工。外媒

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三星和LG显示正研发XR设备面板,预计LG显示明年开始向苹果供货-芯城品牌采购网

据国外媒体报道,分析师和研究机构普遍预计,未来两年将有多款MR或XR设备推出,就包括了传闻已久的苹果头显,预计会在明年一季度开始量产,其他还包括索尼PlayStationVR2、谷歌头显。XR设备大量推出,全球XR设备市场的规模,在未来几年预计也将持续增长,相关的零部件厂商也在为这一市场的增长做准备,以供应合适的零部件,进而占得先机。外媒最新的报道就显示,三星显示和LG显示这两大面板制造商,就都在

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据韩国经济新闻报道,三星电子将运用业界最先进的3纳米制程技术为英伟达、高通、IBM、百度等客户代工芯片,预计最早将从2024年开始产品供应。消息称,三星将以3纳米制程为英伟达代工绘图处理器(GPU)、为IBM代工服务器用中央处理器(CPU)、为高通代工智能手机应用处理器,并为百度代工云端资料中心使用的人工智能(AI)芯片。这些客户考虑到三星拥有3纳米技术,再加上分散供应源的需要,因此决定委托三星代

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近日,新思科技(Synopsys)宣布,在双方的长期合作中,三星晶圆厂(以下简称"三星")已经通过公司数字和定制设计工具和流程成功实现了多次测试流片,从而更好地推动三星的3纳米全环绕栅极(GAA)技术被采用于对功耗、性能和面积(PPA)要求极高的应用中。新思科技表示,与三星SF5E工艺相比,采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实现功耗降低约50%,性能提高约30%,面积缩小30%左右。此外,新思科

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近日,韩国媒体报道称,三星电子计划考虑推出新的商业模式,高端存储芯片租赁服务,寻求在价格转为波动时也能确保稳定销售及收益流。报道指出,消息人士称,三星电子近期将“存储即服务”(memoryasaservice,MaaS)敲定为新业务,并正在制定实施计划。三星计划将用于高性能计算的存储半导体借给谷歌等云服务公司,并收取租赁费用。三星电子希望新业务能占其动态随机存取存储器(DRAM)整体销售收入的至少

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据韩媒首尔经济日报引述产业人士消息,尽管全球经济减缓,但三星电子明年仍将扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能,并且新增多台EUV极紫外光微影曝光设备。DRAM方面,三星计划扩增其位于韩国平泽P3晶圆厂的DRAM产能。目前,三星P3厂DRAM产线的月产能为2万片12英寸晶圆,而三星计划通过扩增DRAM设备,将该厂的DRAM产能每月增加至7万片12英寸晶圆。不久前,三星宣布推出了业界最先进12纳米级高性能

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三星暂停新采购涉及集成电路、显示器和备件-芯城品牌采购网

据多位知情人士消息报道,由于库存过多,以及对全球通胀的担忧,三星电子已通知所有事业群,暂停新的采购订单,涵盖电视、笔记本电脑、家用电器和手机在内的多个关键产品线,并要求多家供应商推迟或减少零部件供应,主要包含面板显示器、存储芯片、PCB、电源等。关于市场传出三星到7月底前将严控零组件的拉货情况,联咏、敦泰、神盾昨(16)日大多不愿评论客户的订单情况。业界人士表示,现在市场需求就是不太好,重点是看接

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据新华社报道,近期华为和三星集团已就各自的标准必要专利包达成交叉许可协议。华为介绍,过去一年中,包括三星以及智能车、网络和其他行业的全球近20家厂商获得了华为专利许可,预计2022年将有共计3.5亿台5G手机和1500万台网联车获得华为公司专利许可。稍早之前,华为还与OPPO广东移动通信有限公司宣布签订全球专利交叉许可协议,该协议覆盖了包括5G标准在内的蜂窝通信标准基本专利。根据协议,OPPO付费

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三星宣布与NAVER合作,联手开发针对超大规模AI优化的半导体解决方案-芯城品牌采购网

12月6日,三星电子宣布与韩国最大搜索引擎和门户网站公司NAVER合作,共同开发为超大规模人工智能(AI)模型定制的半导体解决方案。利用三星的下一代存储器技术,如计算存储、PIM和PNM以及ComputeExpressLink(CXL),两家公司打算汇集其硬件和软件资源,以显着加速处理大量AI工作负载。图片来源:三星三星表示,开发此类解决方案需要半导体和人工智能学科的广泛融合。公司正在将其半导体设

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