12月16日，三星电子与三星先进技术研究院在IEEE国际电子器件会议上重磅宣布，成功研发出10nm以下DRAM内存制造技术，为AI、数据中心等高算力场景的存储需求突破提供了核心支撑，再度刷新行业技术天花板。此次突破的核心在于创新的单元-外围电路（CoP）架构。不同于传统技术将外围晶体管置于存储单元下方的设计，三星采用存储单元堆叠在了你外围电路之上的全新方案，从根源上解决了传统架构中晶体管在高温堆叠